日本半导体仅剩索尼CIS,韩国强势上位

20世纪80、90年代,日本工业实力达到巅峰,半导体、液晶显示器、高端机械设备、先进材料工业等等,独步全球。

可惜的是,到1990年初,日经指数由38915点的历史最高点向下崩跌,短短2年半间跌至15910点。股市的下跌,戳破日本的泡沫经济,日本半导体产业领先全球的优势也逐步腐蚀。

短短10年走向衰败

1990年全球10大半导体公司中有6家为日本公司,NEC、东芝及日立高居前3大半导体公司,英特尔仅居全球第4,而韩国三星电子尚未能进入前10大排行榜。

1995年,日本公司只有4家进入前10大半导体公司排行榜,英特尔跃升为全球半导体公司龙头,NEC、东芝及日立退居2、3、4名,三星电子及现代电子也挤进前10大。

2000年,仅有NEC、东芝及日立进入10大,三星电子以些微差距,落在东芝及NEC之後,居全球第4大半导体公司,英特尔仍居全球第1,日本半导体产业在此时已走下坡。

以往日本傲视全球的记忆体产业,也在韩国公司凌厉攻势下,逐步失去竞争力。为提升竞争力,2000年NEC、日立的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取记忆体)部门合并,成立尔必达,2003年尔必达合并三菱电机的记忆体部门。

DRAM产业惨遭淘汰

可惜的是,虽然集3家日本公司存储器部门的尔必达,仍无法在竞争激烈产业中胜出,2012年宣告破产,2013年被美光购并,日本在DRAM产业中惨遭淘汰。

日本不仅在DRAM产业中遭遇困难,在逻辑半导体中也同样面临激烈地竞争,2003年日立及三菱半导体事业部门合并成立瑞萨科技(Renesas),当年瑞萨营业额高居全球半导体公司第3名。

可惜的是,合并带来的不是成长而是每下愈况,2010年瑞萨与NEC电子合并成立瑞萨电子,仍无法有杰出表现,2015年营业额名列全球15名。

2015年名列全球前10大半导体公司的日本公司,只有东芝1家。东芝的主要产品为NAND Flash,目前在NAND市占率为全球第2,仅次于三星电子。

日商仅剩索尼CIS强 

除东芝的NAND Flash外,索尼(Sony)的CMOS Image Sensor(CIS影像感测器),是日本能在全球市场具竞争力的半导体产品。索尼的CIS以约30%的市占率,高居全球第1,在高端市场中,几乎全部是索尼的天下。

从独步全球到光辉不再,日本在失落的1/4世纪中,虽力图振作,但仍无法跟上快速变化。
 
 
半导体为韩国代表性的出口项目,出口金额占韩国整体出口金额的10%以上,占通讯(ICT)出口金额比重在3成以上,2015年半导体出口金额达629亿美元。
 
一.发展路径

韩国半导体产业从引进技术、进行生产加工及服务开始,并逐渐走上自主创新并掌握自主知识产权的道路。
 
上世纪80年代,韩国半导体只是站在世界的边缘,扮演着名不见经传的角色。而这时,对岸相望的日本却是辉煌无比,占据这半壁江山。在看到日本通过大力发展半导体业,并带动电器、电子、通信和整个信息业的成功后,韩国也效仿了起来。
 
政府推动、“财阀”大量资金投入从此给韩国半导体发展插上了两个翅膀。
 
上世纪90年代起,现代集团的现代电子、三星集团的三星电子、金星集团的LG电子等韩国厂商,着手兴建各自的半导体存储器生产厂。政府宏观调控引导资金流向,将95%的资金提供给大企业,使其优先发展并与国外跨国公司抗衡。
 
 
上世纪90年代中期,三星电子与东芝、通用仪器、ISD、三菱、日本电器、富士通等结成战略联盟关系。于此同时,韩国利用存储方面的技术优势与国外企业交换非存储器技术;通过并购有所需技术的国外企业,壮大自身技术领域。
 
21世纪韩国半导体在世界站稳脚跟

2003年,三星超越索尼和松下,成为亚洲最大的信息产业公司。从2003到2013年,更是韩国半导体迅猛发展的10年。2003年生产额为139亿美元,世界市占率为7.4%,位居世界第四位;2013年的生产额为515亿美元,世界市占率为16.2%,超过日本跃居成为世界第二位。
 
内存半导体产业是韩国半导体产业的支柱,自从2002年高居世界首位(占有率达到32.9%)以来,借助独特的市场及技术优势,其影响力也不断扩大。2013年世界市场占有率达到了52.4%,以压倒性优势在世界内存市场称霸。而2013年至今,韩国在存储领域也是世界领跑。
 
发展源动力

1.  政府推动

1975年,成立韩国高级科学技术研究院
     
1976年,成立韩国电子技术研究所,重要工作是进行超大规模集成电路的研究,负责半导体产业国家级科研项目的开发
   
1986年~1993年,政府实施“超大规模集成电路技术共同开发计划”
   
1997年,政府通过“新一代半导体基础技术开发项目”
 
下图为韩国政府促进半导体产业发展的计划和立法。
 
 
2.  产学研合作

在“超大规模集成电路技术共同开发计划”的推动下,以国家电子研究所为主,三星、现代、LG等大企业参加组成半导体研究开发组织。集中人才、资金,进行从1M到64M的DRAM核心基础技术(又称:源泉技术)的开发。
 
3.  企业从引进到自主研发

为缩短与先进国的技术差距,企业积极导入国外技术,比如三星从Micro Technology与Aytrex、现代从德州仪器与Vitelic、LG从Micro Technology与AT&T进行技术的引进。
 
受益于源泉技术,16M以后的DRAM转为以企业开发为主。1992年11月,成功开发出64M DRAM;1997年末,成功开发出256M DRAM的基础技术和1G DRAM的先进基础技术;2014年4月,开发出业内最早4G DRAM。
 
韩国半导体的快速发展坚持的是循序渐进的方式,引进、合作、自主融合。内部技术与外部技术的整合,是三星能迅速崛起的一个捷径选择。

2018-03-07  来源:EEFOCUS 与非网 

文章关键词: 韦尔半导体股份  香港华清电子(集团)有限公司  索尼CIS